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高通量多孔板優(yōu)化電穿孔系統(tǒng)—HT-MOS 實(shí)驗(yàn)室儀器
高通量多孔板優(yōu)化電穿孔系統(tǒng)—HT-MOS
- 產(chǎn)品綜述
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多孔板優(yōu)化電穿孔系統(tǒng)—HT-MOS（High-Throughput Multi-well Optimization System）, 用多孔板取代傳統(tǒng)的樣品電極杯，可同時(shí)處理大量常規(guī)樣品，大大提高了通量，并可進(jìn)行實(shí)驗(yàn)條件優(yōu)化，有效地加快實(shí)驗(yàn)進(jìn)程。
MOS系統(tǒng)由三個(gè)部分組成：脈沖發(fā)生器（ECM830/630）、MOS板處理儀、MOS板，該系統(tǒng)使用新的25孔（5×5）或96（8×12）孔板代替?zhèn)鹘y(tǒng)的樣品電極杯，能在數(shù)秒內(nèi)完成許多樣品的電穿孔操作，大大提高通量，加快了實(shí)驗(yàn)進(jìn)程。
還可對(duì)每列設(shè)置不同的電穿孔參數(shù)，方便進(jìn)行參數(shù)優(yōu)化實(shí)驗(yàn)，迅速找到最合適的電穿孔實(shí)驗(yàn)參數(shù)，獲得理想的實(shí)驗(yàn)效果。
脈沖發(fā)生器：給MOS板處理儀提供電脈沖，與ECM630或ECM830兼容。
MOS板處理儀： HT-100MOS板處理儀需手動(dòng)使脈沖一列一列依次進(jìn)行，HT-200MOS板處理儀可自動(dòng)將脈沖逐列傳遞。
電壓范圍： 0 to 3000 V 直流電脈沖
脈沖時(shí)間： 10μsec to 10 sec
脈沖次數(shù)： 1 to 99
MOS板：每一個(gè)MOS板包含96（8×12）或25（5×5）個(gè)獨(dú)立的小孔，每列設(shè)置不同的電穿孔參數(shù)，可進(jìn)行快速的參數(shù)優(yōu)化，用于高通量的樣品處理。電極材料為鋁合金，有不同的間距滿足用戶的不同需求。
準(zhǔn)確性：
擁有專利技術(shù)的復(fù)合電極消除交叉污染，隨板附送的平板蓋保證樣品的潔凈。
快速性
卓越的高通量表現(xiàn)，在數(shù)秒間完成多個(gè)樣品的電穿孔，適用于條件優(yōu)化選擇。
應(yīng)用廣：
廣泛適用于高通量進(jìn)行電穿孔條件優(yōu)化的實(shí)驗(yàn)：哺乳動(dòng)物細(xì)胞轉(zhuǎn)染；細(xì)菌、酵母和植物細(xì)胞的轉(zhuǎn)化；siRNA和cDNA文庫(kù)構(gòu)建等。
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